26 мая 2014 - Новая сверхбыстрая память
Группа исследователей Национальной лаборатории Тайваня и Калифорнийского университета разработала новый электронный носитель памяти, который работает с данными в 100 раз быстрее, чем самые быстродействующие современные носители памяти. В состав новой памяти входит слой диэлектрического материала, в который включены дискретные кремниевые наноточки с диаметром всего лишь 3 нм.
Каждая из таких наноточек способна хранить 1 бит информации. Чтобы над памятью можно было совершать операции, всю структуру покрыли слоем металла, выступающего в роли управляющего электрода или, другими словами, затвора. Наноточка из кремния, металлический управляющий электрод и диэлектрический материал в совокупности становятся полевым транзистором, способным быть в активном или неактивном состоянии.
Если использовать массивы из определённого количества этих транзисторов, можно создать носитель памяти любой ёмкости. А его быстродействие обеспечивает технология сверхкоротких вспышек света лазера, который будет активировать наноточку и считывать с неё информацию. Как заявляют разработчики новинки, данный тип носителя памяти станет одним из самых долговечных и надёжных. Если одна наноточка повредится, это никак не повлияет на другую и не повлечёт за собой потерю больших объёмов информации.
| Рейтинг: 0 Голосов: 0 2119 просмотров | Оцените статью:
|
Комментарии (0)
природа
авиация
животные
самолеты
вулкан
острова
извержение
галапагосские острова
гавайские острова
сицилия
курорты
пейзажи
спрус крик
город
флот
корабли
техника
электровертолет
Vc200
национальные парки
война
история
E-volo
вооружение
заповедники
транспорт
наука
самые красивые места мира
всемирное наследие юнеско
юмор
североморцы
ледовитый океан
достопримечательности сша
бомбардировщик
народы
психология
изобретения
достопримечательности германии
пропавшие экспедиции
исчезнувшие цивилизации
империи
древний египет
пресмыкающиеся
аномальные зоны мира
альпинизм
древние города
любовь
франция
япония