26 мая 2014 - Новая сверхбыстрая память
Группа исследователей Национальной лаборатории Тайваня и Калифорнийского университета разработала новый электронный носитель памяти, который работает с данными в 100 раз быстрее, чем самые быстродействующие современные носители памяти. В состав новой памяти входит слой диэлектрического материала, в который включены дискретные кремниевые наноточки с диаметром всего лишь 3 нм.
Каждая из таких наноточек способна хранить 1 бит информации. Чтобы над памятью можно было совершать операции, всю структуру покрыли слоем металла, выступающего в роли управляющего электрода или, другими словами, затвора. Наноточка из кремния, металлический управляющий электрод и диэлектрический материал в совокупности становятся полевым транзистором, способным быть в активном или неактивном состоянии.
Если использовать массивы из определённого количества этих транзисторов, можно создать носитель памяти любой ёмкости. А его быстродействие обеспечивает технология сверхкоротких вспышек света лазера, который будет активировать наноточку и считывать с неё информацию. Как заявляют разработчики новинки, данный тип носителя памяти станет одним из самых долговечных и надёжных. Если одна наноточка повредится, это никак не повлияет на другую и не повлечёт за собой потерю больших объёмов информации.
| Рейтинг: 0 Голосов: 0 1981 просмотр | Оцените статью:
|
Комментарии (0)
природа
животные
авиация
самолеты
вулкан
гавайские острова
сицилия
курорты
пейзажи
острова
извержение
галапагосские острова
город
спрус крик
флот
электровертолет
техника
корабли
история
E-volo
Vc200
национальные парки
война
вооружение
транспорт
самые красивые места мира
всемирное наследие юнеско
наука
юмор
заповедники
ледовитый океан
достопримечательности сша
бомбардировщик
североморцы
древние города
альпинизм
япония
франция
любовь
рассказы
вертолеты
итальянская кухня
достопримечательности якутии
катастрофы
психология
народы
пропавшие экспедиции
изобретения
достопримечательности германии