26 мая 2014 - Новая сверхбыстрая память
Группа исследователей Национальной лаборатории Тайваня и Калифорнийского университета разработала новый электронный носитель памяти, который работает с данными в 100 раз быстрее, чем самые быстродействующие современные носители памяти. В состав новой памяти входит слой диэлектрического материала, в который включены дискретные кремниевые наноточки с диаметром всего лишь 3 нм.
Каждая из таких наноточек способна хранить 1 бит информации. Чтобы над памятью можно было совершать операции, всю структуру покрыли слоем металла, выступающего в роли управляющего электрода или, другими словами, затвора. Наноточка из кремния, металлический управляющий электрод и диэлектрический материал в совокупности становятся полевым транзистором, способным быть в активном или неактивном состоянии.
Если использовать массивы из определённого количества этих транзисторов, можно создать носитель памяти любой ёмкости. А его быстродействие обеспечивает технология сверхкоротких вспышек света лазера, который будет активировать наноточку и считывать с неё информацию. Как заявляют разработчики новинки, данный тип носителя памяти станет одним из самых долговечных и надёжных. Если одна наноточка повредится, это никак не повлияет на другую и не повлечёт за собой потерю больших объёмов информации.
| Рейтинг: 0 Голосов: 0 1815 просмотров | Оцените статью:
|
Комментарии (0)
природа
авиация
животные
самолеты
вулкан
галапагосские острова
гавайские острова
сицилия
курорты
пейзажи
острова
извержение
город
спрус крик
флот
электровертолет
техника
корабли
война
E-volo
национальные парки
Vc200
история
вооружение
самые красивые места мира
наука
заповедники
транспорт
всемирное наследие юнеско
юмор
бомбардировщик
ледовитый океан
достопримечательности сша
североморцы
вертолеты
древний египет
аномальные зоны мира
достопримечательности якутии
итальянская кухня
катастрофы
народы
рассказы
пропавшие экспедиции
достопримечательности германии
империи
пресмыкающиеся
психология
альпинизм
древние города