26 мая 2014 - Новая сверхбыстрая память
Группа исследователей Национальной лаборатории Тайваня и Калифорнийского университета разработала новый электронный носитель памяти, который работает с данными в 100 раз быстрее, чем самые быстродействующие современные носители памяти. В состав новой памяти входит слой диэлектрического материала, в который включены дискретные кремниевые наноточки с диаметром всего лишь 3 нм.
Каждая из таких наноточек способна хранить 1 бит информации. Чтобы над памятью можно было совершать операции, всю структуру покрыли слоем металла, выступающего в роли управляющего электрода или, другими словами, затвора. Наноточка из кремния, металлический управляющий электрод и диэлектрический материал в совокупности становятся полевым транзистором, способным быть в активном или неактивном состоянии.
Если использовать массивы из определённого количества этих транзисторов, можно создать носитель памяти любой ёмкости. А его быстродействие обеспечивает технология сверхкоротких вспышек света лазера, который будет активировать наноточку и считывать с неё информацию. Как заявляют разработчики новинки, данный тип носителя памяти станет одним из самых долговечных и надёжных. Если одна наноточка повредится, это никак не повлияет на другую и не повлечёт за собой потерю больших объёмов информации.
| Рейтинг: 0 Голосов: 0 2311 просмотров | Оцените статью:
|
Комментарии (0)
природа
животные
авиация
самолеты
вулкан
галапагосские острова
гавайские острова
сицилия
курорты
пейзажи
острова
извержение
город
спрус крик
флот
электровертолет
техника
корабли
национальные парки
война
история
E-volo
Vc200
вооружение
транспорт
всемирное наследие юнеско
самые красивые места мира
юмор
наука
заповедники
ледовитый океан
достопримечательности сша
бомбардировщик
североморцы
империи
древний египет
пресмыкающиеся
аномальные зоны мира
альпинизм
древние города
франция
япония
рассказы
любовь
вертолеты
катастрофы
итальянская кухня
достопримечательности якутии
психология