26 мая 2014 - Новая сверхбыстрая память
Группа исследователей Национальной лаборатории Тайваня и Калифорнийского университета разработала новый электронный носитель памяти, который работает с данными в 100 раз быстрее, чем самые быстродействующие современные носители памяти. В состав новой памяти входит слой диэлектрического материала, в который включены дискретные кремниевые наноточки с диаметром всего лишь 3 нм.
Каждая из таких наноточек способна хранить 1 бит информации. Чтобы над памятью можно было совершать операции, всю структуру покрыли слоем металла, выступающего в роли управляющего электрода или, другими словами, затвора. Наноточка из кремния, металлический управляющий электрод и диэлектрический материал в совокупности становятся полевым транзистором, способным быть в активном или неактивном состоянии.
Если использовать массивы из определённого количества этих транзисторов, можно создать носитель памяти любой ёмкости. А его быстродействие обеспечивает технология сверхкоротких вспышек света лазера, который будет активировать наноточку и считывать с неё информацию. Как заявляют разработчики новинки, данный тип носителя памяти станет одним из самых долговечных и надёжных. Если одна наноточка повредится, это никак не повлияет на другую и не повлечёт за собой потерю больших объёмов информации.
| Рейтинг: 0 Голосов: 0 2288 просмотров | Оцените статью:
|
Комментарии (0)
природа
авиация
животные
самолеты
вулкан
пейзажи
острова
извержение
галапагосские острова
гавайские острова
сицилия
курорты
спрус крик
город
флот
техника
корабли
электровертолет
Vc200
национальные парки
война
история
E-volo
вооружение
юмор
транспорт
наука
всемирное наследие юнеско
заповедники
самые красивые места мира
бомбардировщик
североморцы
ледовитый океан
достопримечательности сша
катастрофы
итальянская кухня
пропавшие экспедиции
психология
изобретения
достопримечательности германии
империи
исчезнувшие цивилизации
древний египет
пресмыкающиеся
аномальные зоны мира
любовь
япония
альпинизм
древние города